【英特爾公布技術路線圖,2025 年重奪領域主導地位】
7 月 27 日凌晨,英特爾進行了一場線上直播活動,公開了英特爾未來 5 年的處理器路線圖以及新的芯片和封裝技術。英特爾宣稱,將會在 2025 年重新奪回其在處理器領域的主導地位。

新的路線圖可以看到,英特爾將不再采用行業此前通用的,基於納米制程工藝的節點命名法則,而是將采用全新的命名方案。

· Intel 7:第三代 10nm 芯片更名為 Intel 7(替換去年的增強型 SuperFin),每瓦性能將提供 10~15%,目前已經投入量產,將帶來 Alder Lake 消費級處理器和 Sapphire Rapids 數據中心處理器。
· Intel 4: 7nm 節點更名為 Intel 4,相比 Intel 7 每瓦性能提升 20%,將使用 EUV 光刻技術,首批應用產品是 Meteor Lake 和 Granite Rapids。Meteor Lake 將使用 Foveros 封裝技術,支持 5 至 125W 的 TDP 范圍,預計將於 2022 年末推出。
· Intel 3:Intel 3 節點預計在 2023 年下半年亮相,預計是 Intel 4 7nm 工藝的升級應用,與 Intel 4 相比,每瓦性能提高約 18%。雖然沒有明說,但預計最快都要等到 2024 年才有望上市了。

簡單總結來說,10nm ESF 改名為 Intel 7,7nm 改名為 Intel 4,7nm 增強版改名為 Intel 3。

除此之外,還有英特爾將下一代技術芯片命名為 Intel 20A。這個 A 代表的是單位「埃格斯特朗」(Ångström, 簡稱埃,符號Å),即 0.1nm,20A 就是 2nm。這是英特爾自 2011 年推出 FinFET 以來首次官宣推出的新晶體管架構,被稱之為「RibbonFET」。這是英特爾的首個環柵晶體管架構(GAA),它將帶來更高的晶體管集成密度和更小的芯片尺寸。同時,20A 將引入英特爾獨有的「PowerVia」技術,將允許從芯片背面獲得供電,避免了晶圓此前的正面供電布線需求從而優化信號傳輸。

路線圖最遠可見的是 Intel 18A,將采用第二代 RibbonFET 技術,節點位於 2025 年初研發,這也是英特爾宣稱要奪回行業主導地位的時間。

英特爾 IFS 代工業務也官宣了一個新客戶,那就是高通。高通未來將會依賴 Intel 20A 技術節點,計劃於 2024 年開始,基於 Intel 20A 代工技術來製造新的高通芯片。除此之外,亞馬遜也將會成為英特爾代工業務的又一重要客戶。

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